SJ 50597.40-1996 半导体集成电路JC54HC75、JC54HC259、JC54HC373、JC54HC533和JC54HC573型HCMOS锁存器详细规范

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中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5962 SJ 50597/40-96,半导体集成电路,K54HC75、JC54HC259、JC54HC373、,JC54HC533 和 JC54HC573 型,HCMOS锁存器详细规范,Semiconductor integrated circuits,Detail specification for type JC54HC75, JC54HC259,JC54HC373, JC54HC533, JC54HC573 HCMOS latches.,1996-08-30 发布1997-01-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,目 次,范围.. (1),1.I 主题内容..(1),1.2 适用范围..(1),1.3 分类 (1),1.4 绝对最大额定值 . (2),1.5 推荐工作条件 (2),2引用文件. (3),3要求(3),3.1 详细要求 ..(3),3.2 设计、结构和外形尺寸.. (3),3.3 引线材料和涂覆. (10),3.4 电特性. (10),3.5 电试验要求.. (17),3.6 标志 (32),3.7 微电路组的划分. (33),4质量保证规定….. (33),4.1 抽样和检验.. (33),4.2 筛选 (33),4.3 鉴定检验.. (36),4.4 质量一致性检验. (36),4.5 检验方法.. (41),4.6 数据报告.. (43),5交货准备. (44),5.1包装要求.. (44),6说明事项. (44),6.1 订货资料.. (44),6.2 缩写词、符号和定义 .. (44),6.3 替代性. (44),6.4 操作 (44),中华人民共和国电子行业军用标准,半导体集成电路,JC54HC75JC54HC259JC54HC373JC54HC533 货 50597/40_96,和JC54HC573型HCMOS锁存器详细规范,Semiconductor integrated circuits,Detail specification for type JC54HC75, JC54HC259,JC54HC373, JC54HC533, JC54HC573 HCMOS latches.,范围,1.I 主题内容,本规范规定了半导体集成电路 JC54HC75、JC54HC259、JC54HC373、JC54HC533,和JC54HC573型HCMOS锁存相(以下简称器件)的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范给出的器件按器件型号、器件等级和封装形式分类,1.3.1 器件编号,器件编号应按GJB 597《微电路总规范》第3.6.2条的规定,1.3.1.1 器件型号,器件型号如下:,器件型号器件名称,JC54HC75 四一双稳态锁存器,JC54HC259 8位可寻址锁存器,JC54HC373 八D锁存器(3s),JC54HC533 八D锁存器(3s, 0端输出),JC54HC573 八D锁存器(3s),1.3.1.2器件等级,器件等级应为GJB 597第3.4条规定的B级和本规范规定的B1级,1.3.1.3封装形式,封装形式按GB/T 7092(半导体集成电路外形尺寸》的规定,封装形式如下:,中华人民共和国电子工业部1996.08.30发布1997-01-01 实施,下载,SJ 50597/40-96,类 型外形代号,C C20P3,D D16S3, D20S3,F F16X2,H H16X2,J J16S3, J20S3,1.4 绝对最大额定值,绝对最大额定值如下:,项 目符号,数 值,单位,最小最大,电源电压Vcc -0.5 7.0 V,输入电压匕-0.5 Vcc + 0-5 V,输出电压V。-0.5 Vee+ 0.5 V,输入电流(每瑚) 13 一20 mA,输出电流(每端),JC54HC75/259,l/ol 一25,mA,JC54HC373/533/573 一35,电源电流,IC54HC75/259,—— 50,mA,JC54HC373/533/573 一70,功 耗Pd — 300 mW,並存温度「純-65 150 じ,结 温一175 t,引线耐焊接温度(10s) Th 一300 V,1.5推荐工作条件,推荐工作条件如下:,项目符号,数值,单位,最小最大,电源电压Vee 2 6 V,输入低电平电压Vcc = 2V Vil — 0.3 V,Vcc = 4.5V 一0.9,Vcc = 6V 一1.2,2,即 58597/40-96,2引用文件,续表,项 目符号,数 值,单位,最小最大,输入高电平电压V8 M 2V,Vcc = 4.5V,Vb = 6V,匕H 1.50,3.15,4.20,—,V,输出电压V。0 V,输入脉冲上升Vcc = 2V,和下降时间 Vcc = 4.5V,Vcc=6V,シ,h — 1000,500,400,ns,工作环境温度Ta -55 125,GB 3431.1—82 半导体集成电路文字符号电参数文字符号,GB 3431.2—86 半导体集成电路文字符号引出端功能符号,GB 3439-82 半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理,GB 3834-83 半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理,GB 4590—84 半导体集成电路机械和气候试验方法,GB 4728.12—85,GB/T 7092—93,GJB 548—88,GJB 597-88,GJB 1649—93,电气图用图形符号二进制逻辑单元,半导体集成电路外形尺……

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